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RJK0353DSP
Silicon N Channel Power MOS FET
Power Switching
REJ03G1648-0401
Rev.4.01
Apr 24, 2008
Features
?
?
?
?
Capable of 4.5 V gate drive
Low drive current
High density mounting
Low on-resistance
R DS(on) = 4.5 m ? typ. (at V GS = 10 V)
? Pb-free
Outline
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D
(Package name: SOP-8<FP-8DAV>)
5 6 7 8
8
7 6
5
D D D D
12
34
4
G
1, 2, 3 Source
4 Gate
5, 6, 7, 8 Drain
S S S
1 2 3
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
I D(pulse)
Item
Drain to source voltage
Gate to source voltage
Drain current
Drain peak current
Body-drain diode reverse drain current
Avalanche current
Avalanche energy
Symbol
V DSS
V GSS
I D
Note1
I DR
I AP Note 2
E AR Note 2
Ratings
30
±20
18
144
18
16
25.6
Unit
V
V
A
A
A
A
mJ
Channel dissipation
Pch
Note3
2.0
W
Channel to ambient thermal impedance
Channel temperature
Storage temperature
θ ch-a Note3
Tch
Tstg
62.5
150
–55 to +150
° C/W
° C
° C
Notes: 1. PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
2. Value at Tch = 25 ° C, Rg ≥ 50 ?
3. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW ≤ 10s
REJ03G1648-0401 Rev.4.01 Apr 24, 2008
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